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INS1001DE 是英諾賽科推出的一款用于驅動 GaN FET 的單通道驅動器。 這款驅動器適用于低側、高側或次級側同步整流（SR）應用。

INS1001DE 的工作電壓范圍為 6V 至 20V，并提供靈活的 PWM/PWMB 雙輸入控制方式。 為了便于調(diào)節(jié) GaN FET 的開啟和關閉速度，該驅動器具有獨立的上拉和下拉驅動輸出，其上拉電阻為 1.3Ω，下拉電阻為 0.5Ω，驅動能力較強。 INS1001DE 具有帶輸入去偏振的快速傳播延遲，用戶還可以根據(jù)需求調(diào)節(jié)柵極驅動電壓。 芯片內(nèi)部集成了一個 5V LDO，可為數(shù)字隔離器或其他電路提供電源。

此外，INS1001DE 還內(nèi)置了 UVLO、OVP、OTP 等保護功能，提高了系統(tǒng)的可靠性。 INS1001DE 采用 DFN3x3-10L 封裝。 其應用市場涵蓋多種開關模式電源，包括 AC-DC、DC-DC 轉換器，Boost、Flyback 和 Forward 轉換器，半橋和全橋轉換器，同步整流，以及太陽能逆變器、電機控制和 UPS 等領域。 與同類產(chǎn)品相比，INS1001DE 在輸入電壓范圍、驅動能力和保護功能方面具有優(yōu)勢。 在儲能電源方案中，INS1001DE 已被應用于驅動高壓側管，有助于降低系統(tǒng)損耗并提升效率。

INS1001DE_Datasheet_Rev_1.0.pdf