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INS2003FQ 是一款 100V 半橋驅動器，專為高效驅動高側和低側氮化鎵（GaN）場效應晶體管（FET）而設計，旨在克服傳統(tǒng) MOSFET 驅動方案面臨的挑戰(zhàn)。 該驅動器具有獨立的高側和低側邏輯輸入，并且集成了高側和低側驅動器聯(lián)鎖功能，以防止同時導通。 為了實現(xiàn)可調節(jié)的開關速度，INS2003FQ 提供了分體式輸出，并具備強大的驅動能力，上拉電阻為 1Ω，下拉電阻為 0.2Ω。

INS2003FQ 包含內部智能啟動開關（BST），可在死區(qū)時間有效防止高側浮動電源 BST 電容過充，從而保護 GaN FET 的柵極并保持兩側 GaN FET 柵極電壓的一致性。 該驅動器還具備自適應直通保護功能，即使在接近零死區(qū)時間的情況下也能確保不會出現(xiàn)同時導通。 INS2003FQ 的典型傳播延遲為 20ns，并具有出色的延遲匹配（典型值 1ns），這使其適用于高頻應用。 它支持高達 100V 的高側浮動電源操作，并內置了欠壓鎖定（UVLO）、過壓鎖定（OVLO）和過溫保護（OTP）等多種保護功能。 此外，該驅動器具有低至 35μA 的 VCC 靜態(tài)電流，采用緊湊的 FCQFN 3mmx3mm 封裝。

INS2003FQ 適用于多種應用領域，包括半橋和全橋轉換器、高壓同步 DC-DC 轉換器以及需要高頻率和高功率密度的應用。 它也適用于 48V 直流電機驅動、大功率 D 類音頻功率放大器以及汽車領域的 48V/12V 雙向 DC-DC 轉換器。 英諾賽科提供的 INS2003FQ 等 GaN 驅動器產(chǎn)品，針對不同電壓等級的氮化鎵功率器件進行了優(yōu)化，為數(shù)據(jù)中心、汽車電子、太陽能微逆等領域提供了高性能解決方案。